Ai覇権を握る広島工場の極秘戦略！次世代Hbm量産計画の全貌の基本情報から最新動向までを一挙に解説しました。

今回の設備投資の技術的柱となるのが、極端紫外線（EUV）露光技術を駆使した「1γ DRAM」の本格展開だ。回路の微細化が物理的限界に直面する中、EUVの導入は製品性能を左右する絶対条件となった。広島工場EUV導入プロジェクトが生み出す微細化プロセスは、チップ面積の縮小にとどまらない。電力効率の劇的な改善とデータ転送速度の飛躍的向上を同時に実現する。この圧倒的な技術的優位性が、グローバル市場での熾烈な開発レースにおいて決定的な差を生み出す。