次世代のエネルギー制御において主役を演じるのが、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）を用いた新素材パワー半導体である。高電圧・大電流下での安定動作と小型化を両立するこのデバイスのポテンシャルを極限まで引き出すには、極めて高度な実装技術と回路設計が欠かせない。
日本国内で蓄積された精密な設計技術と試験データをベースに開発されたパワー制御ユニットは、欧米やアジアのグローバル競合と比較しても頭一つ抜き出た変換効率を誇る。国際的な安全規格や環境認証の取得を迅速に進めることで、グローバルサプライチェーンにおける主導権を握る構えだ。
